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Direct Wafer多晶PERC電池效率達19.9%

編輯部 | 2017/6/2 15:23:02

Direct Wafer多晶PERC電池效率達19.9%
美國,馬薩諸塞州貝德福德-2017年03月09日 — 硅片制造商1366科技今日宣布,直接硅片制造技術性能再創(chuàng)新高,其與韓華Q CELLS合作實現(xiàn)了19.9%的電池轉換效率。該結果得到了德國弗勞恩霍夫太陽能系統(tǒng)研究所光伏校準實驗室(Fraunhofer ISE CalLab)的獨立確認。這表明1366科技的直接法硅片與韓華Q CELLS的Q.ANTUM背鈍化技術取得了快速的效率提升。 
我們效率提升的速率幾乎是行業(yè)平均的兩倍。去年底,在同條件的對比測試中,直接硅片的效率超過了高效多晶參考組。這一最新效率充分證明了1366科技的技術繼續(xù)快速提升效率的可能性,因為直接硅片工藝打破了鑄錠切片技術的局限。1366科技首席執(zhí)行官弗蘭克·范·米爾洛Frank van Mierlo)說。 

相比于高效多晶產(chǎn)品,1366科技的技術路線圖清晰地展示了直接硅片產(chǎn)品不僅可以使成本更低,而且能讓其電池轉化效率明顯提高。更高的效率來自于其特有的制造工藝。
· 高純的生長環(huán)境:直接硅片工藝采用的熱場材料潔凈度遠高于定向凝固鑄錠中使用的坩堝和涂層。硅錠在其熔點附近超過1天的時間,會使得坩堝和涂層中的雜質向硅錠擴散。1366科技的工藝避免了擴散污染的產(chǎn)生。
· 更好的微觀結構:多晶生長過程中產(chǎn)生的位錯極大地影響了硅片品質。而直接生長工藝在同等條件下每次生長一片硅片,可避免位錯的產(chǎn)生,讓硅片更加均勻和高效。
· 摻雜濃度漸變:改變摻雜體在硅片正反兩面的濃度,在硅片內形成摻雜濃度的漸變,可以使電子的收集更加有效,促進效率提升。無需增加成本而操控摻雜濃度是普通切片工藝(無論多晶還是單晶)均無法實現(xiàn)的。 
1366科技的直接硅片技術
傳統(tǒng)的硅片生產(chǎn)采用步驟繁多、高能耗、高浪費的鑄錠切片工藝。1366科技的直接硅片技術,顧名思義,就是直接從硅熔液中生長多晶硅片。其均勻高效,成本減半。該技術的另一優(yōu)勢是其與下游電池組件客戶的“無縫銜接”。市場上超過六成的電池組件客戶可以直接使用其產(chǎn)品而無需做任何新的設備投資。 
關于1366科技
1366科技致力于光伏平價上網(wǎng),并以大幅降低光伏組件中最昂貴的硅片成本為目標。公司集合了資深的科學家,經(jīng)驗豐富的工程師和成功的企業(yè)家。他們共同開發(fā)了革命性的創(chuàng)新技術與精益生產(chǎn)的工藝流程,開創(chuàng)了硅片的新品類,使其成為兼顧效率與成本的性價比最優(yōu)的光伏產(chǎn)品。

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